Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

WO2024166976 Art A1 15. August 2024

Anmelder: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024166976
Aktenzeichen: EP24753419
Anmeldetag: 8. Februar 2024
Veröffentlichung: 15. August 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/308H01L21/306H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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