Control of flatband voltage in deposition of halogenated dielectric oxide

WO2024167931 Art A1 15. August 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024167931
Aktenzeichen: EP24753917
Anmeldetag: 6. Februar 2024
Veröffentlichung: 15. August 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/94H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von