Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

WO2024170052 Art A1 22. August 2024

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024170052
Aktenzeichen: EP23705234
Anmeldetag: 13. Februar 2023
Veröffentlichung: 22. August 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/16H01L21/329H01L29/739H01L29/78H01L29/861H01L29/868H01L21/336H01L21/331H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von