Semi-insulating gallium arsenide single-crystal substrate, substrate with epitaxial layer, and method for producing semi-insulating gallium arsenide single-crystal

WO2024171429 Art A1 22. August 2024

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024171429
Aktenzeichen: EP23922763
Anmeldetag: 17. Februar 2023
Veröffentlichung: 22. August 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/42C30B11/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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