Method for producing aluminum nitride crystal, and aluminum nitride crystal

WO2024171488 Art A1 22. August 2024

Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024171488
Aktenzeichen: EP23922822
Anmeldetag: 23. August 2023
Veröffentlichung: 22. August 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B19/02C30B19/04C30B19/10H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOHOKU UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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