Anti-fuse structure and preparation method therefor
WO2024174353
Art A1
29. August 2024
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024174353
- Aktenzeichen
- EP23923524
- Anmeldetag
- 6. April 2023
- Veröffentlichung
- 29. August 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/525H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.