Anti-fuse device and manufacturing method therefor, and anti-fuse array and operation method therefor

WO2024174395 Art A1 29. August 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024174395
Aktenzeichen: EP23923564
Anmeldetag: 16. Mai 2023
Veröffentlichung: 29. August 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/525H01L21/768H10B20/20H10B20/25G11C17/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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