Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

WO2024177575 Art A1 29. August 2024

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024177575
Aktenzeichen: EP24760705
Anmeldetag: 22. Februar 2024
Veröffentlichung: 29. August 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10B51/00H10B41/00H10B69/00H10B41/20H01L29/788H01L21/336

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Anmelder

Firma: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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