High-electron-mobility transistor and preparation method therefor, and electronic device

WO2024178991 Art A1 6. September 2024

Anmelder: ZTE CORPORATION 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024178991
Aktenzeichen: EP23924945
Anmeldetag: 16. Oktober 2023
Veröffentlichung: 6. September 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/40H01L29/20H01L29/778H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ZTE CORPORATION
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 ZTE

Chinesisches Unternehmen der Telekommunikations- und Informationstechnik mit Sitz in Shenzhen. Entwickelt Netzwerkausrüstung, Mobilfunktechnik und Endgeräte für Telekommunikationsanbieter.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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