Semiconductor device and electronic device
WO2024181110
Art A1
6. September 2024
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024181110
- Aktenzeichen
- EP24763594
- Anmeldetag
- 13. Februar 2024
- Veröffentlichung
- 6. September 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/18H01L23/48H01L23/29
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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