Preparation method for semiconductor structure, and semiconductor structure

WO2024183155 Art A1 12. September 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024183155
Aktenzeichen: EP23925869
Anmeldetag: 17. Mai 2023
Veröffentlichung: 12. September 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306H01L21/302H01L21/304H01L21/461H01L21/463B24B57/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von

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