Sense amplifier and control method therefor, and memory

WO2024183172 Art A1 12. September 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024183172
Aktenzeichen: EP23925886
Anmeldetag: 1. Juni 2023
Veröffentlichung: 12. September 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/06G11C7/08G11C7/12G11C11/4063

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von

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