Reverse conducting igbt and method for manufacturing reverse conducting igbt

WO2024185360 Art A1 12. September 2024

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024185360
Aktenzeichen: EP24766735
Anmeldetag: 5. Februar 2024
Veröffentlichung: 12. September 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/12H01L29/739H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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