Verfahren zum Ziehen eines Einkristallstabs aus Halbleitermaterial und Scheibe aus Halbleitermaterial
WO2024188617
Art A1
19. September 2024
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024188617
- Aktenzeichen
- EP24708366
- Anmeldetag
- 23. Februar 2024
- Veröffentlichung
- 19. September 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B15/14C30B15/20C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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