Photosensitive organic insulating material composition, insulating film, gate insulating film, transistor, electronic device, and method for manufacturing transistor
WO2024189875
Art A1
19. September 2024
Anmelder: NIKON CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024189875
- Aktenzeichen
- EP23927494
- Anmeldetag
- 16. März 2023
- Veröffentlichung
- 19. September 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/038
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NIKON CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nikon
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.
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