Aln single crystal substrate and device

WO2024189930 Art A1 19. September 2024

Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024189930
Aktenzeichen: EP23927549
Anmeldetag: 16. März 2023
Veröffentlichung: 19. September 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NGK INSULATORS, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

4.049 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von