Magnetoresistive memory unit, preparation method, array circuit, and binary neural network chip

WO2024197716 Art A1 3. Oktober 2024

Anmelder: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024197716
Aktenzeichen: EP23929313
Anmeldetag: 30. März 2023
Veröffentlichung: 3. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/16G11C11/15H10N50/10G11C11/409

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

610 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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