Preparation method for active layer, narrow-band near-infrared photodiode and preparation method therefor

WO2024198351 Art A1 3. Oktober 2024

Anmelder: PEKING UNIVERSITY SHENZHEN GRADUATE SCHOOL 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024198351
Aktenzeichen: EP23929921
Anmeldetag: 31. Oktober 2023
Veröffentlichung: 3. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10K71/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY SHENZHEN GRADUATE SCHOOL
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University Shenzhen Graduate School

Die Peking University Shenzhen Graduate School ist eine chinesische Hochschuleinrichtung mit Forschungsschwerpunkt in Shenzhen. Das Patentportfolio verteilt sich auf Nachrichtentechnik und Software, ergänzt um Medizintechnik, Halbleiterbauelemente und organische Chemie. Anmeldungen laufen von 2006 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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