Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

WO2024200437 Art A1 3. Oktober 2024

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024200437
Aktenzeichen: EP24715148
Anmeldetag: 26. März 2024
Veröffentlichung: 3. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/861H01L29/744H01L29/06H01L29/08H01L21/329H01L21/332H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

1.608 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von