Method for manufacturing semiconductor substrate and underlayer film-forming composition for metal-containing resist

WO2024203400 Art A1 3. Oktober 2024

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024203400
Aktenzeichen: EP24779529
Anmeldetag: 14. März 2024
Veröffentlichung: 3. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G77/04G03F7/004H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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