Etching liquid for silicon nitrides, method for processing substrate and method for producing semiconductor element
WO2024204794
Art A1
3. Oktober 2024
Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024204794
- Aktenzeichen
- EP24780888
- Anmeldetag
- 29. März 2024
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/306H01L21/308H01L21/336H01L29/788H01L29/792H10B41/27H10B43/27
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKUYAMA CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokuyama
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.
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