Three-dimensional memory device including a source structure surrounded by inner sidewalls of vertical semiconductor channels and methods of forming the same

WO2024205709 Art A1 3. Oktober 2024

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024205709
Aktenzeichen: EP24781467
Anmeldetag: 25. Januar 2024
Veröffentlichung: 3. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10B41/27H10B41/35

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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