Replacement Source/drain Contact Method in Complementary Field Effect Transistor (cfet) Devices

WO2024205835 Art A1 3. Oktober 2024

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024205835
Aktenzeichen: EP24781500
Anmeldetag: 4. März 2024
Veröffentlichung: 3. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/092H01L29/417H01L29/423H01L29/786H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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