Selectively depositing a metal oxide on a dielectric surface of a substrate

WO2024205914 Art A1 3. Oktober 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024205914
Aktenzeichen: EP24781520
Anmeldetag: 13. März 2024
Veröffentlichung: 3. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/02H01L21/285C23C16/04C23C16/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von