Vertical dmosfets with buried shield for reduced gate-to-drain charge
WO2024206640
Art A1
3. Oktober 2024
Anmelder: PURDUE RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024206640
- Aktenzeichen
- EP24781934
- Anmeldetag
- 28. März 2024
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/06H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- PURDUE RESEARCH FOUNDATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Purdue Research Foundation
US-amerikanische gemeinnützige Stiftung, die den Technologietransfer und die Patentverwertung der Purdue University in Indiana verwaltet.
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