Memory

WO2024207588 Art A1 10. Oktober 2024

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024207588
Aktenzeichen: EP23931645
Anmeldetag: 10. Mai 2023
Veröffentlichung: 10. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/00G11C29/42G11C29/44

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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