Ion-beam full-aperture surface shape correction method based on variable-configuration grid gate assembly

WO2024207958 Art A1 10. Oktober 2024

Anmelder: ZHEJIANG UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024207958
Aktenzeichen: EP24784043
Anmeldetag: 15. März 2024
Veröffentlichung: 10. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G06F30/17G06T17/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ZHEJIANG UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

1.943 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

Vertreten von