Charge storage type tunneling transistor device, manufacturing device therefor, and boolean logic operation method therefor

WO2024210502 Art A1 10. Oktober 2024

Anmelder: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024210502
Aktenzeichen: EP24785205
Anmeldetag: 3. April 2024
Veröffentlichung: 10. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L29/66G11C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

Technologietransfer- und Forschungsförderungsstiftung der Seoul National University in Südkorea. Sie verwaltet und vermarktet die an der Universität entstandenen Forschungsergebnisse und Patente.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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