Performing atomic layer etching using a silane-based chemistry

WO2024211411 Art A1 10. Oktober 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024211411
Aktenzeichen: EP24785687
Anmeldetag: 3. April 2024
Veröffentlichung: 10. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/67H01L21/687H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von