Method for forming ruthenium oxide film and method for manufacturing semiconductor device comprising same

WO2024215025 Art A2 17. Oktober 2024

Anmelder: JUSUNG ENGINEERING CO., LTD. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024215025
Aktenzeichen: EP24788968
Anmeldetag: 8. April 2024
Veröffentlichung: 17. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H10N97/00C23C16/40C23C16/455C23C16/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Jusung Engineering

Jusung Engineering ist ein südkoreanischer Hersteller von Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleitertechnik, ergänzt durch Metallurgie und Elektronik. Die Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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