Selectively depositing silicon oxide on a dielectric surface of a substrate

WO2024215620 Art A1 17. Oktober 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024215620
Aktenzeichen: EP24789286
Anmeldetag: 8. April 2024
Veröffentlichung: 17. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/04C23C16/455C23C16/40C23C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von