Indium phosphide single crystal substrate and method for producing indium phosphide single crystal
WO2024218860
Art A1
24. Oktober 2024
Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024218860
- Aktenzeichen
- EP23934006
- Anmeldetag
- 18. April 2023
- Veröffentlichung
- 24. Oktober 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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