Reconfigurable transistor based on gradient doping, integrated circuit, and manufacturing method

WO2024222403 Art A1 31. Oktober 2024

Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024222403
Aktenzeichen: EP24795784
Anmeldetag: 2. April 2024
Veröffentlichung: 31. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/10H01L29/78H01L21/34H10N70/20H10N70/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: TSINGHUA UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

3.287 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von