Dram cell circuit and writing method therefor, and dram array circuit and row driving method in writing operation thereof

WO2024222615 Art A1 31. Oktober 2024

Anmelder: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY, TSINGHUA UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024222615
Aktenzeichen: EP24795996
Anmeldetag: 22. April 2024
Veröffentlichung: 31. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/4063

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY
TSINGHUA UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

3.285 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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