Dram cell circuit and writing method therefor, and dram array circuit

WO2024222616 Art A1 31. Oktober 2024

Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024222616
Aktenzeichen: EP24795997
Anmeldetag: 22. April 2024
Veröffentlichung: 31. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/4063G11C11/4094

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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