High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

WO2024226212 Art A2 31. Oktober 2024

Anmelder: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024226212
Aktenzeichen: EP24797636
Anmeldetag: 27. März 2024
Veröffentlichung: 31. Oktober 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/20H01L29/423H01L29/36H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wisconsin Alumni Research Foundation

US-amerikanische, mit der University of Wisconsin-Madison verbundene Organisation, die Patente aus universitärer Forschung verwaltet und lizenziert. Die Stiftung wurde 1925 gegründet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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