Sense circuit for multi-transistor capacitorless dynamic random access memory (dram) cell

WO2024229208 Art A2 7. November 2024

Anmelder: RAMBUS INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024229208
Aktenzeichen: EP24800567
Anmeldetag: 2. Mai 2024
Veröffentlichung: 7. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RAMBUS INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Rambus Inc.

Rambus ist ein US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in Kalifornien. Die Patente betreffen Speicherschnittstellen, Chip-Sicherheit und Datenübertragung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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