Semiconductor device and preparation method therefor
WO2024229812
Art A1
14. November 2024
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024229812
- Aktenzeichen
- EP23936128
- Anmeldetag
- 11. Mai 2023
- Veröffentlichung
- 14. November 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10B41/20H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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