Split-gate silicon carbide device with buried field-limiting ring and method for preparing same

WO2024229878 Art A1 14. November 2024

Anmelder: FUDAN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024229878
Aktenzeichen: EP23936191
Anmeldetag: 15. Mai 2023
Veröffentlichung: 14. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUDAN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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