Manufacturing method for metal interconnect structure, metal interconnect structure, and semiconductor assembly
WO2024230100
Art A1
14. November 2024
Anmelder: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024230100
- Aktenzeichen
- EP23936404
- Anmeldetag
- 2. November 2023
- Veröffentlichung
- 14. November 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L23/538
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.
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