Monolithic integrated gan-based half-bridge circuit, and half-bridge circuit

WO2024234540 Art A1 21. November 2024

Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024234540
Aktenzeichen: EP23937215
Anmeldetag: 12. Oktober 2023
Veröffentlichung: 21. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06H01L27/02H01L23/538H02M1/00H02M1/44

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SOUTHEAST UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southeast University

Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.

1.065 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen