Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Polykristallinen Siliciumcarbidsubstraten

WO2024235838 Art A1 21. November 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024235838
Aktenzeichen: EP24725492
Anmeldetag: 10. Mai 2024
Veröffentlichung: 21. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/18C30B29/36C30B33/02C30B33/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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