Verfahren zur Herstellung eines Lichtemittierenden Elements aus Photonischem Kristallgalliumnitrid und Beleuchtungsvorrichtung

WO2024237194 Art A1 21. November 2024

Anmelder: Nitride Semiconductors Co., Ltd., Nikon Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024237194
Aktenzeichen: EP24807146
Anmeldetag: 10. Mai 2024
Veröffentlichung: 21. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/32F21V9/35H01L21/3065H01L33/04H01L33/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Nitride Semiconductors Co., Ltd.
Nikon Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nikon

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik

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