Low-temperature sulfur plasma passivated thin film solar cell absorption layer, preparation method therefor and use thereof

WO2024239651 Art A1 28. November 2024

Anmelder: SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY CHINESE 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024239651
Aktenzeichen: EP23938316
Anmeldetag: 27. Dezember 2023
Veröffentlichung: 28. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/18H01L31/0445H01L31/032H01L31/072

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY CHINESE
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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