Doppelmultiplikationsbereichskonfiguration zur Verbesserung der Nahinfrarotempfindlichkeit in Silizium-Cmos-Einzelphotonen-Avalanche-Dioden
WO2024241211
Art A1
28. November 2024
Anmelder: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL) 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024241211
- Aktenzeichen
- EP24733296
- Anmeldetag
- 21. Mai 2024
- Veröffentlichung
- 28. November 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/107
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL)
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
École Polytechnique Fédérale de Lausanne
Schweizer technische Hochschule und Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt auf Ingenieur- und Naturwissenschaften.
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