Bonded structure, semiconductor device, and bonding method
WO2024241786
Art A1
28. November 2024
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024241786
- Aktenzeichen
- EP24810794
- Anmeldetag
- 19. April 2024
- Veröffentlichung
- 28. November 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/52H01L21/58H01L23/12H01L23/29H01L23/40H01L25/07H01L25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
2.771 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.