Silicon carbide substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2024241913 Art A1 28. November 2024

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024241913
Aktenzeichen: EP24810921
Anmeldetag: 10. Mai 2024
Veröffentlichung: 28. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B23/02H01L21/66H01L21/205H01L21/336H01L21/3065H01L29/12H01L29/78H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von