Verfahren zur Herstellung eines Kristallinen Films, Dampfphasenwachstumsvorrichtung und Kristalliner ?-Galliumoxidfilm

WO2024242090 Art A1 28. November 2024

Anmelder: Taiyo Nippon Sanso Corporation, National University Corporation Tokyo University Of Agriculture and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024242090
Aktenzeichen: EP24811097
Anmeldetag: 21. Mai 2024
Veröffentlichung: 28. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/16C23C16/40C30B25/02H01L21/365

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Taiyo Nippon Sanso Corporation
National University Corporation Tokyo University Of Agriculture and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Taiyo Nippon Sanso

Taiyo Nippon Sanso ist ein japanischer Hersteller von Industriegasen und zugehörigen Anlagen, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Der Patentbestand konzentriert sich auf Verfahrens- und Trenntechnik sowie Wärme-, Fertigungs- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von