Radiation-sensitive composition for forming gate insulating film, pattern, method for producing pattern, cured film for gate insulating film, semiconductor element, organic electrochemical transistor, organic el display device, liquid crystal display device, micro-led display device, quantum dot light-emitting display device, wearable device, electronic skin device, biological sensor, and neuromorphic device
WO2024242171
Art A1
28. November 2024
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024242171
- Aktenzeichen
- EP24811176
- Anmeldetag
- 23. Mai 2024
- Veröffentlichung
- 28. November 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/023G02F1/1368G09F9/30G09F9/33G09F9/35H01L21/312H01L29/786H05B33/14H10K59/12H10K59/125H10K71/20H10K85/10H10K85/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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