Light-emitters with group iii-nitride-based quantum well active regions having gan interlayers

WO2024242756 Art A1 28. November 2024

Anmelder: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024242756
Aktenzeichen: EP24811559
Anmeldetag: 26. März 2024
Veröffentlichung: 28. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/06H01L33/32H01L33/58H01L33/62H01S5/343H01S5/20H01S5/042H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wisconsin Alumni Research Foundation

US-amerikanische, mit der University of Wisconsin-Madison verbundene Organisation, die Patente aus universitärer Forschung verwaltet und lizenziert. Die Stiftung wurde 1925 gegründet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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